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日本KITA半導(dǎo)體器件彈簧探針標(biāo)準(zhǔn)間距

  • 產(chǎn)品型號(hào):KHW030-001C2
  • 更新時(shí)間:2025-04-22

簡(jiǎn)要描述:日本KITA半導(dǎo)體器件彈簧探針標(biāo)準(zhǔn)間距0.3 mm至 1.0mm除了常規(guī)的鍍金柱塞外,我們還針對(duì)每種主要長(zhǎng)度提供各種高度通用。
以“MARATHON"系列為中心,這是一款標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品,采用北制作所開(kāi)發(fā)的電鍍和涂層來(lái)防止焊料轉(zhuǎn)移,以及達(dá)到相同效果的貴金屬。

產(chǎn)品詳情

深圳納加霍里科技專業(yè)代理銷售日本KITA半導(dǎo)體器件彈簧探針標(biāo)準(zhǔn)間距0.3mm 至 1.0mm  產(chǎn)品特點(diǎn)如下:

日本KITA半導(dǎo)體器件彈簧探針標(biāo)準(zhǔn)間距又稱雙頭探針或接觸探針,內(nèi)置彈簧,用于半導(dǎo)體器件制造的檢測(cè)工序。

彈簧探針內(nèi)置于 IC 插座中,作為將被測(cè)設(shè)備垂直連接到電路板的電路。

北制作所實(shí)現(xiàn)了低阻力、高耐久性。其中,“MARATHON"系列是半導(dǎo)體器件檢測(cè)用彈簧探針的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品陣容。

1. 彈簧探針間距概述

彈簧探針的間距(Pitch)指相鄰探針中心間的距離,直接影響測(cè)試的密度和兼容性。KITA提供的 0.3mm~1.0mm 標(biāo)準(zhǔn)間距覆蓋了從高密度晶圓測(cè)試到傳統(tǒng)封裝測(cè)試的需求:

0.3mm~0.5mm:超細(xì)間距,用于先進(jìn)封裝(如Fan-out、3D IC)和高頻芯片測(cè)試。

0.5mm~0.8mm:主流間距,適用于大多數(shù)BGA、CSP封裝測(cè)試。

0.8mm~1.0mm:通用間距,用于PCB功能測(cè)試或大功率器件。

2. 不同間距的技術(shù)特點(diǎn)對(duì)比

參數(shù)0.3mm間距0.5mm間距1.0mm間距
探針直徑0.1~0.15mm0.2~0.3mm0.4~0.6mm
電流承載能力0.1~0.5A(低電流信號(hào))0.5~1A(中等電流)1~3A(功率測(cè)試)
典型應(yīng)用晶圓CP測(cè)試、射頻芯片BGA/CSP測(cè)試、存儲(chǔ)芯片PCB板級(jí)測(cè)試、電源管理IC
挑戰(zhàn)易短路、對(duì)齊精度要求高平衡密度與可靠性占用空間大,密度低

3. KITA彈簧探針的核心技術(shù)

高密度布局設(shè)計(jì)

0.3mm間距:采用 錯(cuò)位排列 或 雙排交錯(cuò) 設(shè)計(jì),避免相鄰探針接觸短路。

絕緣涂層:部分型號(hào)探針外壁鍍陶瓷或聚酰亞胺絕緣層,減少串?dāng)_。

材料與結(jié)構(gòu)優(yōu)化

彈簧材料:鈹銅合金(高彈性)或鋼琴絲(長(zhǎng)壽命)。

鍍層工藝:金鍍層(低接觸電阻,適合高頻)或鈀鎳合金(耐磨損)。

機(jī)械可靠性

壓縮行程:0.1~0.5mm(0.3mm間距探針行程較短,需精確控制下壓力)。

壽命:10萬(wàn)次以上壓縮(符合JEDEC JESD22-A104標(biāo)準(zhǔn))。

4. 典型應(yīng)用場(chǎng)景

0.3mm間距

晶圓級(jí)測(cè)試(Wafer CP):5G毫米波芯片、CIS圖像傳感器。

微間距連接器:柔性電路板(FPC)測(cè)試。

0.5mm間距

封裝測(cè)試(FT):DRAM、NAND Flash芯片。

系統(tǒng)級(jí)測(cè)試(SLT):手機(jī)SoC模塊。

1.0mm間距

電源模塊測(cè)試:DC-DC轉(zhuǎn)換器、IGBT。

汽車電子:ECU板級(jí)功能驗(yàn)證。

5. 選型關(guān)鍵因素

電氣需求:

高頻信號(hào)(>1GHz)需選0.3mm低電感探針。

大電流測(cè)試(>1A)優(yōu)先選1.0mm間距探針。

機(jī)械兼容性:

被測(cè)器件Pad尺寸需大于探針直徑的1.5倍(如0.3mm探針對(duì)應(yīng)Pad≥0.15mm)。

共面性公差(通常要求≤0.05mm)。

環(huán)境要求:

高溫測(cè)試(>85°C)需不銹鋼外殼或耐熱鍍層。

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